10.3321/j.issn:0567-7351.2007.23.005
静电纺丝技术制备TiO2@SiO2亚微米同轴电缆与表征
用静电纺丝技术成功制备出大量的TiO2@SiO2亚微米同轴电缆.用TGA-DTA,XRD,SEM,TEM,EDS,FTIR分析技术对样品结构和组成进行了系统的表征.结果表明,得到的产物为TiO2@SiO2亚微米级同轴电缆,以无定型SiO2为壳层,晶态TiO2为芯层,电缆平均直径450nm,壳层厚度90 nm,电缆长度>300μm,同时在样品中发现个别纤维呈现管状结构,对其形成机理进行了讨论.
静电纺丝、亚微米电缆、同轴电缆、二氧化钛、二氧化硅
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O6(化学)
吉林省科技发展计划20060504;20040125;吉林省教育厅科技计划2006JYT05;吉林省环保局科技2006-24
2008-04-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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