多孔硅上贵金属的浸入沉积

摘要：

将多孔硅浸入含贵金属盐的HF溶液20s,制备了Ag,Au,Pd和Pt的沉积层.AFM形貌显示,这4种贵金属都能在多孔硅上直接沉积,但Pt的沉积量比其他3种少.SEM图及能谱(Energy dispersive X-ray spectrometer,EDS)分析显示,沉积层优先生长在孔边上,孔边上的沉积量约是孔底的4.6倍.电化学方法分析显示,Pd和Pt,Ag和Au的沉积层分别具有类似的开路电位和交流阻抗特性,其中Pd层的溶出电流比其他3种大1个数量级,而阻抗比其他小1个数量级,说明Pd层与硅基底的结合程度好,结合界面导电性好.

关键词：多孔硅、贵金属、浸入沉积

所属期刊栏目：65

分类号：O6(化学)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研项目20030730014

在线出版日期：2008-03-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2527-2532