碲在金衬底上的不可逆吸附行为及其欠电位沉积机制的研究

摘要：

研究了碲在金衬底上的不可逆吸附行为特征及其对碲原子欠电位沉积行为的影响.同时也探讨了碲原子于金衬底上的欠电位沉积机制.结果显示在开路条件下碲原子在金衬底表面具有不可逆的吸附行为,证实了在金的双电层范围内很难将这种碲的吸附物移走.为了完全移走碲的吸附物,需要采用特定的电化学清洗程序.发现碲的吸附物移走发生在电位循环至金的氧化区域,且在该区域这种碲的吸附物移走与金的表面氧化同时发生.扫描速率分析结果证实碲欠电位沉积在金表面符合Sanchez-Maestre模型的三个标准,说明碲原子于金衬底上欠电位沉积符合二维形核和生长机制.

关键词：电化学原子层外延、欠电位沉积、不可逆吸附、循环伏安、热电材料

所属期刊栏目：65

分类号：O6(化学)

资助基金：教育部跨世纪优秀人才培养计划;教育部科技创新工程重大培育项目;国家基础研究计划卯3计划预研项目2004CCA03200;国家自然科学基金50401008;中国博士后科学基金20060390843

在线出版日期：2007-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2273-2278