10.3321/j.issn:0567-7351.2007.16.013
受主掺杂BaPbO3陶瓷的缺陷结构
采用高温平衡电导法测定高温平衡电导率随氧分压(10-12~105 Pa)的变化曲线,阐明了受主掺杂BaPb03的缺陷结构,解释了材料的导电机理.高氧分压下,Pb离子空位缺陷占主导,电荷补偿缺陷为空穴;随着氧分压的下降,材料由本征缺陷占主导向杂质缺陷占主导转变,受主杂质成为主导缺陷,电荷补偿缺陷为空穴;在低氧分压下,电荷补偿缺陷由空穴转变为氧离子空位.受主掺杂浓度的下降,导致高温电导率下降,并引起本征缺陷占主导向非本征缺陷占主导的转变点向低氧分压方向移动,同时低氧分压区域的电荷补偿缺陷由空穴转变为氧离子空位的转变点也向更低的氧分压方向移动.
BapbO3、缺陷化学、补偿缺陷、受主、平衡电导率
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O6(化学)
广东省自然科学基金033177
2007-10-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
1600-1604