3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物修饰纳米结构TiO2薄膜电极的光电性能研究

摘要：

用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了铟锡导电玻璃(ITO)/3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCHT)膜电极以及ITO/TiO2/3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCHT)复合膜电极的光电转换性质.结果表明,CTCHT膜为p-型半导体,禁带宽度为2.44 eV,价带位置为-5.73 eV.研究表明在ITO/TiO2/CTCHT复合膜电极中存在p-n异质结,p-n异质结的存在能够使光生电子和空穴有效的分离,有效地降低了电荷的反向复合几率,提高了光电转换效率,CTCHT膜修饰ITO/TiO2电极可使光电流增强,使宽禁带半导体电极的光电转换效率得到改善.

关键词：TiO2/CTCHT复合膜电极、光电化学、导电聚合物

所属期刊栏目：64

分类号：O6(化学)

资助基金：中国科学院资助项目20203008;20573031;河北省自然科学基金202351

在线出版日期：2006-04-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：283-286