钴离子配位分子印迹聚合物膜渗透特性的研究

摘要：

采用分子印迹技术紫外光引发原位聚合的方法制备了带支撑膜的钴离子配位分子印迹聚合物膜.用扫描电镜测定了膜的表面形貌.通过膜渗透实验表明,在一定浓度钴离子存在下,印迹膜对模板分子表现出良好的渗透选择性.分别考察了阳离子和阴离子对印迹膜渗透模板分子的影响.本工作有助于分子印迹技术应用于传感器技术和连续分离技术的研究.

关键词：分子印迹技术、分子印迹膜、膜渗透、2、2’-联吡啶、钴

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分类号：O6(化学)

资助基金：国家自然科学基金20375017,20445001;高等学校博士学科点专项科研项目2002055002;天津市自然科学基金033603511

在线出版日期：2005-10-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1681-1685