10.3321/j.issn:0567-7351.2004.19.017
不同疏水基表面活性剂溶剂化的电子结构特征
用从头算法RHF/6-31G*和Onsager溶剂模型分别优化了不同疏水端基表面活性剂阴离子溶剂化前后的几何构型,得到气态和溶剂化的总能量、电荷分布、偶极矩、极化能等.比较了它们溶剂化前后的构型变化和电子结构特征.在RHF/6-31G*平台上探讨了不同疏水端基影响阴离子表面活性剂表面张力的内在原因.
不同疏水基表面活性剂、从头算、Onsager模型、表面张力
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O65;TQ6
国家重点基础研究发展计划973计划2001CCC01300
2004-11-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
1948-1950