ET类分子导体3d轨道对晶体能带及导电性的影响

摘要：

采用扩展休克尔-紧束缚方法(EHTB)研究了ET类分子导体[ET=bis-(ethylenedithio)-tetrathiafulvalene]的能带.讨论了硫原子3d轨道对能带结构的影响,添加3d轨道导致ET分子柱间的横向作用大为增强,并与纵向作用处于同一数量级,这一结论解释了晶体二维导电性的实验结果.计算得到(ET)2C3H5SO3·H2O, (ET)2HgCl3·TCE两个晶体的带隙分别为0.579, 0.572 eV,与实验得到的导电激活能0.319, 0.308 eV符合较好.

关键词：能带结构、ET类分子导体、导电性

所属期刊栏目：62

分类号：O6(化学)

资助基金：国家自然科学基金20172034;教育部高校骨干教师资助计划

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：10-15