TATB晶体结构的周期性密度泛函理论研究

摘要：

对TATB晶体进行DFr-B3LYP/6-31G**周期性计算研究,求得其能带结构和电子结构,探讨了结构-性能关系.从带隙约为4.1 eV推知TATB晶体的导电性处于半导体和绝缘体之间.计算所得升华热为136.25kJ@mol-1,与实验值良好相符.从原子间距和Müliken集居分析,发现TATB晶体中同一层分子之间存在氢键,而不同层之间距离较大,作用较弱.TATB分子中硝基氧带较多负电荷而氨基氢带较多正电荷,这使TATB很难成为电子受体和给体,故化学上很稳定.考察晶体中点电荷静电势,发现其在(001)面上的投影呈均匀分布,而在(100)和(010)面上的投影则有明显界面,表明同层分子间电子呈高度离域,异层之间相互作用极小.这可解释TATB晶体沿c轴膨胀以及受热循环后长大的各向异性和不可复原性等实验事实.

关键词：1、3、5-三氨基-2、4、6-三硝基苯(TATB)、密度泛函理论、能带结构、电子结构

所属期刊栏目：61

分类号：O6(化学)

资助基金：国家自然科学基金10176012,20173028

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1186-1191