三代树状碳硅烷液晶研究--端基含丁氧基偶氮苯介晶基元

摘要：

用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的三代树状碳硅烷(D3)液晶,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS)、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射(WAXD)表征,D3为向列相与M5相同,树状物相态由介晶基元相态决定,D3相行为:K79N126I116N,D3熔点比M5降低33℃,D3清亮点比M5增加2℃,D3液晶态温区比M5加宽35℃.

关键词：向列相液晶、三代树状化合物、4-丁氧基偶氮苯碳硅烷

所属期刊栏目：61

分类号：O633(高分子化学（高聚物）)

资助基金：国家自然科学基金29874020,59573029;中国科学院资助项目

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：619-624