10.3321/j.issn:0567-7351.2001.05.018
紫外倍频晶体硫氰酸汞镉的生长习性与形成机理研究
从结晶化学角度出发,研究了硫氰酸汞镉(简写为CMTC)结构中的基本结构单元即HgS4和CdN4的结晶方位与晶体各族晶面间的对应关系.在对CMTC的生长溶液结构测定和推理基础上,提出该晶体生长基元的结构形式和生长基元向各族晶面上堆积的规律,进而讨论了该晶体生长习性的形成机理.实验发现,CMTC的生长溶液中存在着与晶体结构中相同的基团即阴离子多面体生长基元,随着生长条件的变化,生长基元的维度有所不同,不同维度的生长基元往各族晶面上的堆积速率也发生相应改变,从而解释了CMTC的生长习性和晶体形貌的多变性.
硫氰酸汞镉晶体、溶液结构、生长基元、生长习性
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O6(化学)
国家自然科学基金69890230,69778023;山东省青年科学家科研奖励基金
2004-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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