HX体系电子对内、对间相关研究

摘要：

在6-311+G*基组水平上用CISD(configuration interaction with singly and doubly excited configurations)方法研究HX(X=Li-F,HBe+,HBe)体系电子对内、对间的相关能.计算结果表明不同元素形成的HX(X=Li-F,HBe+,HBe)体系,其价层电子对内、对间相关能的变化较大,它们之间存在着轨道差别,不宜将其相关贡献归为简单的常数.在使用相同理论方法和相同质量基组的前提下,电子数将直接影响到电子对间相关能的大小.对于多电子体系,电子对间相关在总相关中占有优势,若将其忽略会引起较大误差.

关键词：电子对内相关、电子对间相关、HX体系

所属期刊栏目：58

分类号：O6(化学)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研项目

在线出版日期：2005-07-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1345-1348