10.3321/j.issn:0567-7351.1999.02.004
Ca2B2O5的电子结构和能带结构
合成了标题化合物,在已测晶体结构的基础上,利用含组态作用的INDO/S方法计算了其电子能带结构;利用态求和方法计算了微结构分子的线性极化率及其晶体的平均折射率.分析结果表明,价带主要由B3+和O2-离子的价轨道的贡献,导带底部主要由Ca2+离子轨道的贡献,从O2-离子到Ca2+离子的电荷转移对线性极化率起主要贡献.
Ga2B2O5、电子结构、能带结构
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O6(化学)
中国科学院基础研究项目;国家重点实验室基金
2005-07-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
143-148