SrS/α-SiO2界面的XPS研究

摘要：

TFEL器件中绝缘层与发光层之间的界面对电荷的输运特性、发光特性等有着十分重要的作用.本文通过XPS的测量,分析了新结构器件中SrS/α-SiO2界面的各成分的芯电子能谱的变化和深度分布,发现Sr2+向SiO2中扩散较深并以氧化物的形态存在,介质层以SiOx(x=1.65～1.70)的形态存在.这些丰富的界面态有可能成为TFEL器件的初电子源而对SrS:Ce发光有贡献.

关键词：SrS/SiO2界面、XPS、深度分布、化学位移、电子态

所属期刊栏目：56

分类号：O6(化学)

在线出版日期：2005-07-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：999-1003