10.3969/j.issn.0441-3776.1998.02.013
新型不对称四硫代富瓦烯导电LB膜的研究
@@ Langmuir-Blodgett(LB)技术已成为制备分子厚度的有序导电薄膜的有力工具,该领域中四硫代富瓦烯(TTF)衍生物是导电LB膜的研究前沿.本文报道一个新的不对称TTF衍生物LB膜的制备、表征和导电性能.
不对称、四硫代富瓦烯、导电性能、衍生物、膜的制备、导电薄膜、前沿、技术、厚度、工具、分子、表征
O6(化学)
2006-01-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
48-51