10.3969/j.issn.0441-3776.2014.01.10t
密度泛函理论研究SiN与ClO反应的产物通道
利用量子化学从头算和密度泛函理论研究了SiN和ClO的反应机理。在B3LYP/6-311++G(d,p)水平上优化得到了反应势能面上各驻点的几何构型;通过频率分析和内禀反应坐标计算对过渡态与反应物和产物的连接关系进行确认。在 CCSD(T)/cc-pVTZ 水平上对各物种的能量进行校正,得到了反应势能面。计算结果表明,该反应体系存在单态和三态势能面,其中单态势能面上反应通道(1)和(2)是主反应通道,1P4为主产物。
密度泛函理论、SiN、反应机理、ClO、自由基
O641;P5;TB34
国家自然科学基金;济宁学院青年科研项目
2015-01-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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