亚微米锥形光纤的制备及硅烷化修饰
本文采用氢氟酸(HF)蚀刻方法制备亚微米结构的锥形光纤,考察了不同 HF 浓度和蚀刻时间对亚微米光纤几何构型的影响,用 SEM 表征光纤的几何形状.实验表明,当 HF:H2O=1:1、蚀刻时间约为5h 时,得到了亚微米锥形光纤,且其表面光滑.亚微米锥形光纤在甲基三氯硅烷混合溶液中进行硅烷化反应后,与吖啶橙相互作用,用其尖端的荧光强度的变化来表征亚微米光纤尖端活性基团的键合程度.该方法可用于检测光纤尖端键合的活性基团,也可以检测耦合的靶分子,这为纳米光纤生物传感器的研制奠定了基础.
化学蚀刻、锥形光纤、SEM、硅烷化、荧光强度
2013-01-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共1页