化学机械抛光液的研究进展

摘要：

化学机械抛光(CMP)是唯一能对亚微米级器件提供全局平面化的技术,介绍了化学机械抛光浆料的品种、应用范围、研究进展以及浆料的组成和抛光原理,随着硅单晶片向大尺寸的发展,以及集成电路集成度的提高、线宽的进一步减小,须加强对化学机械抛光液的开发和抛光机理的研究,满足化学机械抛光的技术和工艺要求.

关键词：化学机械抛光(CMP)、硅片抛光、抛光液、SiO2胶体

所属期刊栏目：47

分类号：O6(化学)

在线出版日期：2006-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：565-567,576