10.3969/j.issn.0367-6358.2004.08.001
制备工艺对ATO纳米棒形貌结构的影响
以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用化学共沉淀法成功制备了高含量棒状纳米级掺锑二氧化锡(ATO)导电粉体,研究了掺锑量、热处理温度及热处理时间对纳米棒形貌结构的影响.初步探讨了ATO纳米棒的形成机理,并用热重分析(TG)、透射电镜(TEM)、X-射线衍射(XRD)、比表面法(BET)对棒结构进行了表征.
ATO纳米棒、化学共沉淀、形貌、导电材料
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O430.4520(光学)
上海市科技发展基金027252034
2004-09-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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395-399