硅纳米线的表面掺杂效应及应用
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.13884/j.1003-3807hxjy.2019050172

硅纳米线的表面掺杂效应及应用

引用
纳米材料具有较大的比表面积,表现出与块体材料不同的性质.通过实验证明氢负载的硅纳米线能够加速铜氧化过程.这一过程可以用表面掺杂效应进行解释.这种由于尺寸的减小引起化学性质改变的现象——表面掺杂,有望能够在化学的各个领域得到广泛应用.

铜、氧化、硅纳米线、表面掺杂

41

2020-06-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

105-107

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

化学教育

1003-3807

11-1923/O6

41

2020,41(8)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn