10.3969/j.issn.1006-7906.2008.05.010
半导体二氧化钛光催化氧化的研究进展
介绍了二氧化钛光催化氧化的基本原理,分析了光催化氧化的影响因素.阐述了光催化剂的固定方法及降解有机污染物的现状及发展方向,并提出了光催化氧化技术未来的发展趋势.
半导体、二氧化钛、光催化氧化、有机污染物
29
TN306(半导体技术)
2009-01-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
30-35
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10.3969/j.issn.1006-7906.2008.05.010
半导体、二氧化钛、光催化氧化、有机污染物
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TN306(半导体技术)
2009-01-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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