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10.16247/j.cnki.23-1171/tq.20190413

Ce掺杂ZnO的晶体结构、发光和光催化性能的不同机理

引用
采用溶胶凝胶法合成了一系列Ce掺杂ZnO粉晶.采用XRD,UV-VIS,FT-IR,PL技术及以亚甲基蓝溶液脱色反应为模型,研究了Ce掺杂ZnO晶体结构、光学带隙、成键、光致发光及光催化性能产生的不同机理.结果表明:低含量Ce掺杂和高含量Ce掺杂对ZnO结构和性能产生的机理存在差异.低含量Ce掺杂时,ZnO晶格参数及Zn-O键长因原子半径大的Ce3+替代原子半径小的Zn2+而增加,光学带隙因Burstein-Moss效应而宽化,结晶性能因ZnO成核空间增加而提高,青蓝色发光峰因结晶性能提高而减弱.高含量Ce掺杂时,ZnO晶格参数及Zn-O键长因Ce3+Ce4+转化而减小,光学带隙因Ce3+占据Zn2+格位而减小,结晶性能因氧化铈包覆作用并降低结晶速率而提高,青蓝色发光峰随缺陷增加而增强.Ce掺杂ZnO光催化能力随光学带隙减小而提高.光催化性能最优Ce掺杂量为2%.FT-IR表明系列Ce掺杂ZnO均含有Zn-O和Ce-O-Zn等成键.

铈掺杂、氧化锌、光致发光、光催化

TB303(工程材料学)

浙江省大学生科技创新活动计划暨新苗人才计划资助项目2018R436007;浙江省公益性技术应用研究资助项目2014C37085;校开放实验资助项目

2019-06-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

13-17,26

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1002-1124

23-1171/TQ

2019,(4)

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