银辅助化学刻蚀法制作硅纳米线的关键工序研究

摘要：

本文通过实验发现,硅片表面的洁净度和合适的刻蚀液浓度是成功应用银辅助化学刻蚀法制作硅纳米线的关键.总结出针对该法的一种性能可靠的简单清洗工艺.通过配制不同浓度的刻蚀液发现AgNO3的浓度在0.008～0.016mol·L-1范围内,HF浓度从4.0～5.5mo1· L-1范围内可以成功制作出硅纳米线.

关键词：银辅助化学刻蚀法、化学刻蚀法、硅纳米线

所属期刊栏目：27

分类号：TN304.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基余青年基金51005187;航空科学基金2011ZE53055;西北工业大学基础研究基金JC200826

在线出版日期：2013-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：5-7,14