从反应活化能垒角度探讨多晶硅还原机理

摘要：

三氯氢硅还原反应是改良西门子法生产多晶硅的主要过程,本文对三氯氢硅还原反应进行分子模拟,采用密度泛函理论方法(DFT)研究了三氯氢硅还原成多晶硅的能量变化,对其分子结构进行优化,通过LST/QST方法计算多晶硅还原过程中可能出现的过渡态及能量的变化,得到过渡态TSa、TSb、TSc.结果表明,三氯氢硅还原反应通道Path a所得过渡态的活化能垒较低,过程进行较顺利.

关键词：三氯氢硅、分子模拟、密度泛函理论、过渡态

分类号：TN304.1(半导体技术)

在线出版日期：2012-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：24-25,33