铜铁双掺近化学计量比铌酸锂晶体生长及其光折变性能研究

摘要：

采用优化工艺参数,在掺有6(mol)%K2O助溶剂熔体中,利用提拉法生长出系列铜、铁双掺近化学计量比LiNbO3晶体.通过二波耦合和透射光斑畸变法测试可知,在未掺和掺铁量不变情况下,随着掺铜量的增加,衍射效率逐渐增大且铜铁双掺铌酸钾晶体衍射效率要高于单掺铜铌酸锂晶体.而其写入时间和擦除时间逐渐减小;抗光损伤能力随着掺铜量的增加逐渐增强,且单掺铜铌酸锂晶体抗光损伤能力远远大于铜铁双掺铌酸锂晶体.

关键词：铜铁双掺铌酸锂晶体、近化学计量比晶体、助熔剂法生长

所属期刊栏目：23

分类号：O734(晶体物理)

在线出版日期：2009-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：63-66