10.3969/j.issn.1002-1124.2008.09.025
以多孔氧化铝为模板钴纳米线阵列的制备
以多孔氧化铝为模板,采用交流电沉积的方法制备了钴纳米线阵列膜.采用扫描电子显微镜(SEM)对电沉积钴纳米线前后的多孔氧化铝模板的形貌进行表征,通过透射电子显微镜(TElM)观察钴纳米线的表面形貌.结果表明:金属钴沉积到多孑L氧化铝模板的纳米孑L中,钴纳米线的平均直径约为50n/n,与氧化铝模板的孔径相一致.
钴纳米线阵列、多孔氧化铝模板、交流电沉积、纳米材料
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O646(物理化学(理论化学)、化学物理学)
2008-11-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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