10.3969/j.issn.1002-1124.2007.02.003
分步插层法制备含磷化合物插层GIC的研究
本文采用化学氧化直接插层和分步插层法制备含磷化合物插层GIC,通过对GIC的受热失重变化及膨胀前后石墨层间结构变化的研究表明:直接插层体系的最佳工艺条件为石墨∶H2SO4∶K2Cr2O4(质量比)=1∶4.92∶0.1;分步插层法制备含磷化合物插层GIC的最佳工艺条件为:对直接插层产物水洗pH值为3后,用含磷化合物溶液在30℃下浸泡1 h.分步插层法所制得含磷化合物插层GIG的抗氧化性能提高.X-射线衍射(XRD)对GIC的结构研究表明,插层后石墨层间距离发生了显著变化.
石墨层间化合物、分步插层、磷酸、磷酸铵、聚磷酸铵
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TH145.1;O613.71
黑龙江省自然科学基金E200613;黑龙江省教育厅科学技术研究项目11511064;黑龙江省研究生创新科研项目
2007-04-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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