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10.3969/j.issn.1008-6145.2023.07.002

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定Si-B-C-N陶瓷材料中的硅和硼

引用
建立了电感耦合等离子体原子发射光谱法同时测定Si-B-C-N陶瓷材料中硅和硼元素含量的方法.将Si-B-C-N陶瓷材料粉碎过孔径为75 μm(200目)的筛并于160℃烘干1 h,称取50 mg样品,置于镍坩埚中,加入1.5 g氢氧化钾,以650℃高温熔融,冷却后用稀硝酸浸取熔融物,用水定容至200 mL.采用Burgener雾化器提高雾化效率,以钾盐进行基体匹配,以元素钇作为内标进行定量.硅(硼)的质量浓度与硅(硼)元素和内标元素的谱线强度比具有良好的线性关系,硅元素的检出限为0.000 4 mg/mL,硼元素的检出限为0.000 06 mg/mL.硅、硼元素测定结果的相对标准偏差均不大于1.0%(n=6),实际样品加标回收率为95.1%~97.1%.该方法硅、硼的测定结果与GJB 1679A—2008《高硅氧玻璃纤维纱规范》中二氧化硅含量测试方法和JB/T 7993-1999《碳化硼 化学分析方法》中总硼含量的测试方法的测定结果一致.该方法适用于批量样品的检测.

硅硼碳氮陶瓷产品、电感耦合等离子体原子发射光谱法、硅、硼

32

O657.3(分析化学)

2023-08-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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