纳米级半金属薄膜Fe3O4（001）的外延生长及晶向测定

摘要：

半金属材料Fe3O4具有理论上100%的自旋极化率，其居里温度高达860 K，具有室温操作的可能。此外， Fe3O4与MgO晶格具有较低的失配率（0.3%），将二者结合起来有利于磁阻的进一步提高，因此Fe3O4材料成为制备磁阻器件的候选材料。采用对靶磁控溅射的方法，实现了低温制备纳米级别Fe3O4(001)薄膜。利用X射线衍射测量，采用小角掠射（掠射角为2o）、2θ／θ联动模式、步进扫描方式，成功获得其择优取向的图谱。通过XRD与TEM截面样品暗场选区电子衍射相结合的方法，可以定性区分各层薄膜的择优取向。

关键词：半金属、(001)择优取向、外延生长、缓冲层

分类号：O657.91(分析化学)

资助基金：国家科技支撑计划课题2011BAK15B05

在线出版日期：2014-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：19-23