三聚氰胺修饰电极同位镀铋膜测定镉离子

摘要：

采用电聚合方法制备三聚氰胺修饰玻碳电极(PM/GC),然后在其表面同位镀铋膜,研究Cd2+在该电极上的溶出伏安行为,并与裸玻碳电极(GC)同位镀铋膜电极上Cd2+的溶出伏安行为进行比较.研究表明,镉在同位镀铋膜的PM/GC电极上可得到灵敏的溶出峰.在优化的实验条件下,镉的氧化峰电流与其在1.0×10～1.O×10-6mol/L浓度范围内呈良好的线性关系,检测下限为5.0×10-8mol/L.由于每次溶出后可方便地将铋膜溶解更新,该方法重现性好.使用铋膜电极替代汞膜电极还有利于保护环境.

关键词：同位镀铋膜、镉离子、修饰电极、三聚氰胺

所属期刊栏目：30

分类号：R57;O65

资助基金：四川理工学院科技项目2009xjkyl001;四川省教育厅基金资助项目10ZB102

在线出版日期：2011-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：58-61