Au掺杂碲镉汞长波探测器技术研究

摘要：

昆明物理研究所多年来持续开展了对Au掺杂碲镉汞材料、器件结构设计、可重复的工艺开发等研究,突破了 Au掺杂碲镉汞材料电学可控掺杂、器件暗电流控制等关键技术,将n-on-p型碲镉汞长波器件品质因子(R0A)从31.3 Ω·cm2提升到了 363 Ω·cm2(λcutoff=10.5 μm@80 K),器件暗电流较本征汞空位n-on-p型器件降低了一个数量级以上.研制的非本征Au掺杂长波探测器经历了超过7年的时间贮存,性能无明显变化,显示了良好的长期稳定性.基于Au掺杂碲镉汞探测器技术,昆明物理研究所实现了 256×256(30 μm pitch)、640×512(25 μm pitch)、640×512(15 μm pitch)、1024×768(10 μm pitch)等规格的长波探测器研制和批量能力,实现了非本征Au掺杂长波碲镉汞器件系列化发展.

关键词：Au掺杂、暗电流、长波红外、碲镉汞(HgCdTe)、焦平面

所属期刊栏目：52

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2023-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：封2,1-8