集成AlGaN/GaN HEMT混频探测器的太赫兹矢量测量系统

摘要：

矢量测量是表征太赫兹波段天线与准光系统波束特性的主流技术.该文介绍了一种基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High-electron-mobility transistor,HEMT)混频探测器的太赫兹矢量测量系统.该系统核心器件为以准光-波导为耦合方式的高灵敏度太赫兹混频探测器,在 340 GHz频率外差模式下,其噪声等效功率达-113 dBm/Hz.为了抑制系统相位噪声,搭建了基于二次下变频原理的硬件电路.通过对固定位置天线的长时间测量,表明系统相位稳定度优于 4°,系统最小可测功率达到 119 nW.基于相干AlGaN/GaN HEMT混频探测器实现了太赫兹连续波幅度和相位分布测量,该工作为后续阵列化太赫兹矢量测量提供了基础.

关键词：矢量测量、太赫兹探测器、相干探测、高电子迁移率晶体管、氮化镓

所属期刊栏目：52

分类号：TL814;TN386.3;TN382(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

资助基金：中国科学院青年创新促进会项目;国家自然科学基金;国家自然科学基金;江苏省重点研发计划

在线出版日期：2023-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：161-168