碲镉汞红外光电探测器局域场表征研究进展(特邀)

摘要：

碲镉汞材料(HgCdTe)是第三代红外探测系统中使用的重要探测材料,其发展水平能基本反映当前红外探测器最优性能指标.近年来,天文、遥感和民用设备对探测器性能提出了更高的要求,这对HgCdTe红外探测器的设计和制备提出了新的挑战.HgCdTe红外探测器更精细的设计和加工技术为提高HgCdTe红外探测器性能提供解决思路.抑制器件的有害局域场、调控器件的有益局域场可以实现器件性能进一步的突破.但是,如何对HgCdTe光电器件局域场进行表征与分析,澄清HgCdTe光电器件中局域场相关的噪声及暗电流起源,是推动器件性能突破需解决的重要关键科学与技术问题.文中将总结HgCdTe红外光电探测器局域场表征与分析的研究进展,为新一代HgCdTe红外光电探测器发展提供基础支撑.

关键词：碲镉汞器件、微区光电流扫描技术、局域场、暗电流

所属期刊栏目：51

分类号：TN21(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家重点研发计划;上海市科技计划;杭州市科技发展计划

在线出版日期：2022-09-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共13页

页码：36-48