2～4μm中红外锑化物半导体激光器研究进展(特邀)

摘要：

2～4μm波段是非常重要的红外大气窗口,工作在这个波段的激光器在气体检测,医疗美容和工业加工领域具有十分巨大的应用价值.锑化物半导体材料低维结构具有窄禁带直接跃迁发光的独特优势,是实现中红外波段半导体激光器的理想材料体系.近年来,国内外锑化物半导体激光器研究不断取得重要进展,先后实现了量子阱发光的波长拓展、大功率单管和阵列激光器的室温连续激射,也实现了多波段的单模激光器的室温连续工作.锑化物半导体低维材料组分复杂、界面钝化性质特殊,材料外延和工艺制备技术难度较大.文中从锑化物半导体激光器的基本原理出发,综述了国内外研究现状,介绍了锑化物材料低维结构激光器的设计方案、关键制备技术的主要进展,分析了今后该类激光器性能优化的重点研发方向等.

关键词：锑化镓、量子阱半导体激光器、红外激光器

所属期刊栏目：49

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;广东省重点研发计划;广东省重点研发计划

在线出版日期：2021-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：155-163