基于耦合腔的太赫兹垂直传输结构

摘要：

提出了一种工作在110 GHz的耦合腔垂直传输结构.在垂直金属腔的两端对称地装配两个模式变换单元,作为波导的两个激励端口.模式变换单元在50岬厚度石英基片上实现,该基片采用通孔结构和双面镀金工艺.因此,该垂直传输结构在太赫兹频段具有较低的插入损耗.仿真结果与测试结果拟合良好,模式变换单元的S21仿真结果为-0.7 dB,测试结果小于-1.3 dB,在105～116 GHz带宽的反射系数低于-10dB.

关键词：太赫兹垂直传输、石英、耦合腔

所属期刊栏目：49

分类号：TN44(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2020-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：205-209