320×256InAs/GaSb超晶格中/短波双色探测器组件研制

摘要：

InAs/GaSb超晶格材料制备的新型红外器件在最近十几年得到了迅速发展.文中开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器组件研制,设计了中/短波双色叠层背靠背二极管芯片结构,用分子束外延技术生长出结构完整、表面平整、低缺陷密度的PNP结构超晶格材料,制备出性能优良的320×256双色焦平面探测器组件,对探测器组件进行了测试分析.结果显示,在77 K下中波二极管RA值达到26.0kΩ·cm2,短波的RA值为562kΩ·cm2.光谱响应特性表明短波响应波段为1.7～3μm,中波为3～5μm,满足设计要求.双色峰值探测率达到中波3.12×1011cm·Hz1/2W-1,短波1.34×1011cm·Hz1/2W-1.响应非均匀性中波为9.9％,短波为9.7％.中波有效像元率为98.46％,短波为98.06％.

关键词：InAs/GaSb超晶格、双色、中短波、焦平面阵列、红外探测器

所属期刊栏目：49

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2021-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：64-68