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10.3788/IRLA201948.1219002

0.2THz二倍频器研究

引用
基于六阳极结反向串联型GaAs平面肖特基二极管,设计并实现了0.2 THz大功率二倍频器.肖特基二极管倒装焊接在50 μm石英电路上.采用电磁场和电路联合设计仿真获得了二倍频器的倍频效率.当入射功率在100 mW时,输出频率在190~225 GHz带内效率大于5%.在小功率(Pin≈100 mW)和大功率(Pin≈ 300 mW)注入条件下,测试了倍频电路的输出功率和倍频效率.在100 mW驱动功率下采用自偏压测试,最大输出功率为14.5 mW@193 GHz,对应倍频效率为14%;在300 mW驱动功率下采用自偏压测试,在188~195 GHz,输出功率大于10mW,最大输出功率为35 mW@192.8 GHz,对应倍频效率为11%.

太赫兹、二倍频器、GaAs平面肖特基二极管、非平衡式

48

TN45(微电子学、集成电路(IC))

2020-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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