基于3μm-SOI的波分复用/解复用器与电吸收型VOA的单片集成

摘要：

波分复用/解复用器与可调光衰减器的是光通信系统中的重要元器件.为了得到制备工艺简单、响应速度快的二者的单片集成芯片,并且考虑到其与其他不同光器件的集成可能性,在绝缘体上硅材料制作了16通道、信道间隔200 GHz的阵列波导光栅复用/解复用器与电吸收型可调光衰减器的单片集成.该器件的片上损耗小于7dB,串扰小于-22 dB.电吸收型VOA在20 dB的衰减量下的功耗为572 mW(106 mA,5.4 V).此外,该器件可以实现光功率的快速衰减,在0～5V的外加方波电压下,VOA上升及下降时间分别为50.5 ns和48 ns.

关键词：阵列波导光栅、可调光衰减器、硅基光子学、绝缘体上硅

所属期刊栏目：48

分类号：TN256(光电子技术、激光技术)

资助基金：高等学校学科创新引智计划计划D17021

在线出版日期：2019-09-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：230-236