GaAs肖特基二极管的250GHz二次谐波混频器研究

摘要：

基于Hammer-Head型滤波器结构,以及三维电磁软件所构建的肖特基二极管三维模型及电气模型,分别设计了250 GHz悬置微带线和普通微带线的二次谐波混频器.通过仿真设计与实物测试,对比分析两种结构混频器特性.测试结果表明,悬置微带线混频器在射频输入230～270 GHz范围内时,单边带变频损耗为8.6～12.7 dB,而普通微带线混频器在射频输入220～260 GHz范围内时,单边带变频损耗为8.4～11.4 dB.通过结果对比可见,悬置微带线混频器带宽较大,而普通微带线混频器的变频损耗更为平滑.此外,考虑微组装工艺中的不良因素,对仿真模型进行部分修正,计算结果与测试结果拟合较好.

关键词：肖特基势垒二极管、250 GHz、二次谐波混频器、变频损耗

所属期刊栏目：48

分类号：TN454(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：北京市博士后工作基金2017-ZZ-131

在线出版日期：2019-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：235-240