脉冲激光沉积法制备红外光学SiC薄膜特性研究
采用脉冲激光沉积法在锗基底制备无氢SiC薄膜,研究了激光能量对SiC薄膜显微结构、成分和红外光学性能的影响规律.利用傅里叶红外光谱仪测量了锗基底SiC薄膜样品的红外透射光谱,其在785 cm-1附近有一个强烈Si-C键特征吸收峰,并在红外波数4 000~1 300 cm-1之间具有良好的透过性.通过对透射光谱拟合计算可知:在红外波段2.5~7.7 μm之间,SiC薄膜的折射率和消光系数均随着激光能量的增加而增大,折射率大约从2.15上升到2.33,激光能量从400mJ增加到600mJ,且当激光能量为400、500mJ时,消光系数均在10-3量级以内,光学吸收很小.研究表明,SiC薄膜在红外2.5~7.7 μm波段是一种优异的光学薄膜材料.
脉冲激光沉积、SiC薄膜、红外光谱、光学性能
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O484.4(固体物理学)
国家自然科学基金61705268
2019-08-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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