新型正方晶格基横模光子晶体面发射激光器

摘要：

高功率基横模垂直腔面发射激光器(VCSEL)在光通信、传感、原子频标和光电混合集成等领域有着重要的应用,将光子晶体结构引入到VCSEL中,通过设计结构尺寸和分布,可以有效控制VCSEL的横向模式.课题组将正方形排列的光子晶体结构引入到VCSEL中,实现对VCSEL的横向模式和基横模出光功率控制,获得高基横模出光功率器件.通过采用平面波展开法(PWE)和全矢量三维时域有限差分方法(FDTD)对正方晶格结构光子晶体的合理设计,获得正方形排布光子晶体周期、占空比和刻蚀深度等重要参数.成功地制备出基横模出光功率大于3 mW,边模抑制比大于40 dB的正方晶格光子晶体VCSEL.

关键词：垂直腔面发射激光器、基横模、光子晶体

所属期刊栏目：47

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金61604007,61376049,11674016,61378058,61575008,61574011;北京市自然科技基金4172009,4152003;北京市教委创新能力提升计划PXM2017_014204_500034,PXM2016_014204_500018

在线出版日期：2018-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：62-67