锗酸铋电光晶体的半波电压调控

摘要：

提出了一种通过改变晶体切割方向,调控和提高锗酸铋晶体半波电压的方法,可以显著扩大光学电压传感器的测量范围.使用电光效应耦合波理论,分析了半波电压对晶体切割方向的依赖关系.晶体切割方向决定了锗酸铋晶体的通光方向和电场方向.分析结果表明,当晶体沿[-2-0.5,2-0.5,0]和[0.219,0.219,0.951]方向切割时,可使半波电压提高为标准切割方向的5倍;当晶体沿[0.140,0.275,0.951]和[2-0.5,2-0.5,0]方向切割时,半波电压可提高至12倍.讨论了光传播方向对半波电压的影响,锗酸铋晶体采用标准切割方向,光路角度偏移在±0.05π范围内时,半波电压的变化量小于0.06%.该半波电压调控方法同样适用于其它电光晶体.

关键词：半波电压、锗酸铋、切割方向、耦合波理论

所属期刊栏目：47

分类号：TN204(光电子技术、激光技术)

资助基金：福建省中青年教师教育科研项目JA15060;福建省科技厅引导性项目2017H0013

在线出版日期：2018-05-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：267-272