1550 nm宽光谱超辐射发光二极管的研制
超辐射发光二极管因其宽光谱低抖动的光谱特点以及输出光为非相干光的特性,在光学相干层析成像技术、光处理技术等领域具有重要应用.为获得宽光谱低抖动的超辐射输出光,设计并制备了一种1550 nm AlGaInAs多量子阱超辐射发光二极管.采取倾斜12°波导并增加隔离区,结合抗反射薄膜,最终实现宽光谱输出的超辐射发光二极管,并比较了有无隔离区对器件性能的影响.实验结果表明,制得的超辐射发光二极管3 dB光谱宽度可拓宽至83 nm,光谱纹波小于0.1 dB,在200 mA工作电流下,出光功率大于1.5 mW.
超辐射发光二极管、宽光谱低抖动、倾斜波导、隔离区、抗反射薄膜
47
TN383(半导体技术)
国家自然科学基金61405198;国家863计划2013AA014202;福建省自然科学基金2014J06022;国家重点研发计划2016YFB0402300,2016YFB0402304
2018-05-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
256-260
