基于等效电路参数提取的硅光电二极管激光损伤机理分析

摘要：

通过硅光电二极管激光辐照效应实验获取了辐照前后器件的I-V特性曲线,利用粒子群优化算法对二极管的等效电路参数进行提取,考察受损前后等效参数的变化规律.认为光电二极管在激光辐照受损后,其反向饱和电流会减小,等效串联电阻会增大,等效并联电阻会减小.随后,基于半导体物理理论,对这些参数变化的内在因素进行了定性分析.认为反向饱和电流减小是由掺杂离子浓度减小造成的,串联电阻增大是因掺杂离子浓度以及载流子寿命减小共同引起的,并联电阻减小则是由半导体表面及内部的缺陷引起的.

关键词：二极管等效电路、激光辐照效应、粒子群优化算法

所属期刊栏目：47

分类号：TN249(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金11405132;西北核技术研究所长线预研课题12111502

在线出版日期：2018-02-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：139-144