超连续谱光源辐照可见光CMOS图像传感器的实验研究
研究了超连续谱光源对可见光CMOS图像传感器辐照的实验现象和规律.观察到随着入射激光功率的不断增大,CMOS图像传感器依次出现了像元饱和、局部饱和、局部过饱和以及全屏饱和等现象.与1060 nm锁模光纤激光辐照同种图像传感器的实验相对比,从有效干扰面积、图像相关度及图像均方差等三个方面,对比了两种干扰源在影响CMOS图像传感器成像质量方面的异同,发现CMOS图像传感器的响应特性、激光的频谱特性和成像光学系统的色散是导致干扰效果差异的主要原因.
超连续谱、锁模激光、CMOS、激光干扰对比
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TN249(光电子技术、激光技术)
脉冲功率激光技术国家重点实验室基金SKL2014ZR09
2017-03-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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120-125