原子层沉积法制备微通道板发射层的性能

摘要：

随着微通道板的不断发展与完善,通过改善传统工艺提升其性能越来越困难,开发提升微通道板性能的新技术迫在眉睫.纳米薄膜材料的发展及其制备技术的成熟为微通道板的发展提供了契机,利用原子层沉积技术在通道内壁沉积一层氧化铝纳米薄膜,作为二次电子发射功能层,可以增强通道内壁的二次电子发射能力,从而提升微通道板的增益性能.通过优化原子层沉积工艺参数可以在微通道板的通道内壁沉积厚度均匀的氧化铝薄膜.研究结果表明,微通道板增益随沉积氧化铝厚度的变化而变化,在氧化铝厚度为60 cycles时,施加偏压800V时增益可达56000,约为正常微通道板增益的12倍.

关键词：微通道板、原子层沉积、氧化铝纳米薄膜、二次电子发射层

所属期刊栏目：45

分类号：TN223(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2016-12-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：217-222