CMOS图像传感器电子辐照实验的研究

摘要：

研究了电子辐射剂量对CMOS图像传感器性能的影响，性能参数为平均暗电流输出和光强响应度。搭建了电子辐射场和光强响应度的测量系统，在器件处于工作状态和非工作状态下分别对其辐射，辐射剂量为：5×103 rad、1×104 rad、7×104 rad、1×105 rad、5×105 rad。对于暗电流，当辐射总剂量超过7×104 rad~1×105 rad之间的某一个阈值时，暗电流随着辐射剂量的增长基本呈线性增加；光强响应方面，当器件处于非工作状态接受辐射时，辐射剂量对光强响应影响不大；当器件处于工作状态接受辐射时，辐射剂量超过7×104 rad，光强响应曲线会下移，斜率减小，灵敏度降低。理论分析后，得到了暗电流随电子辐射剂量的变化模型。研究表明：长期工作于空间环境下的CMOS图像传感器，容易受到辐射总剂量效应的影响，需采取一定的防辐射措施。

关键词：CMOS图像传感器、辐射效应、电子辐射实验、平均暗电流输出、光强响应度

所属期刊栏目：45

分类号：TN929.13

资助基金：青年科学基金项目111404082

在线出版日期：2016-07-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：0520006-1-0520006-5