SiGe/Si单光子雪崩光电二极管仿真
通过理论模拟CMOS工艺兼容的SiGe/Si 单光子雪崩二极管，研究并讨论了掺杂条件对于电场分布、频宽特性、以及器件量子效率的影响。设计出具有浅结结构、可在盖革模式下工作、低击穿电压(30 V)的1.06μm单光子技术雪崩光电二极管。器件采用分离吸收倍增区结构，其中Si材料作为倍增区、SiGe材料作为吸收区，这充分利用了硅材料较高的载流子离化比差异，降低了器件噪声；在1.06μm波长下，SiGe探测器的量子效率为4.2%，相比于Si探测器的效率提高了4倍。仿真表明优化掺杂条件可以优化电场分布，从而在APD击穿电压处获得更好的带宽特性。
单光子雪崩光电二极管、SACM-APD、电场分布、量子效率、仿真分析
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TN215(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金61376057，61307079，61021003，61036001；中国科学院-日本学术振兴会合作课题GJHZ1316；北京市科委课题Z141100003814002；北京自然科学基金2142031
2016-07-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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0520004-1-0520004-4
