大功率及高转换效率2.1μm GaInSb/AlGaAsSb量子阱激光器

摘要：

报道了激射波长为2.1μm 的GaInSb/AlGaAsSb双量子阱激光器。通过优化外延结构设计和欧姆接触，无镀膜的宽条激光器达到了9.8%的峰值功率转换效率，这比原来的值提高了1.5倍，室温下得到了615 mW的连续激射功率输出和1.5 W的脉冲激射功率输出。这些激光器的阈值电流密度低至126 A/cm2，斜率效率高达0.3 W/A。通过测试不同腔长的激光器，测得内损耗和内量子效率分别为6 cm-1和75.5%，均比原有器件有很大提升。激光器在连续工作3000 h后，功率没有明显下降。

关键词：GaInSb/AlGaAsSb、激光器、功率转换效率

所属期刊栏目：45

分类号：TN365(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2011CBA00608,2012CB619203；国家科技重大专项计划项目2011ZX01015-001；国家自然科学基金61036010,261177070,2U1431231；北京市自然科学基金4112058

在线出版日期：2016-07-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：0505003-1-0505003-5