PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响

摘要：

研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的AlN温度对其特性的影响.前驱体是NH3和TMA,在300℃、350℃和370℃沉积温度下分别沉积了200、500、800、1000、1500周期的AlN层,并讨论了AlN薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度.结果表明,在300～370℃范围内,随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加,而薄膜表面粗糙度减小.

关键词：氮化铝、等离子增强原子层沉积、生长速率、结晶化、表面粗糙度、沉积温度

所属期刊栏目：45

分类号：O472+.1(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61076039,61204065,61205193,61307045;高等学校博士学科点专项科研基金20112216120005;吉林省科技发展计划20121816,201201116;高功率半导体激光国家重点实验室基金9140C310101120C031115

在线出版日期：2016-06-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：212-215